10月11日，中国领先的一站式IP和定制芯片领军企业——芯动科技发布消息：公司已完成全球首个基于中芯国际FinFET “N＋1”先进工艺的芯片流片和测试，所有IP全自主国产，功能一次测试通过，这是过去数月工艺迭代和共同努力后获得的里程碑成果。

中芯国际目前是中国内地规模最大、技术最先进的集成电路芯片制造企业，所谓“N＋1”工艺是中芯国际在第一代先进工艺14nm量产之后的第二代先进工艺的代号。

根据中芯国际联席CEO梁孟松博士此前公布的信息显示，“N＋1”工艺和现有的14nm工艺相比，性能提升了20%，功耗降低了57%，逻辑面积缩小了63%，SoC面积减少了55%。从逻辑面积缩小的数据来看，与7nm工艺相近。

梁孟松博士也表示，“N＋1”代工艺在功耗及稳定性上跟7nm工艺非常相似，但性能要低一些（业界标准是提升35%），所以中芯国际的“N＋1”工艺主要面向低功耗应用的。而在“N＋1”之后，中芯国际还会有“N＋2”。这两种工艺在功耗上表现差不多，区别在于性能及成本，“N＋2”显然是面向高性能的，成本也会增加。

在此前公布的2020年上半年财报当中，中芯国际就曾表示，第二代先进工艺（“N＋1”）进展顺利，已进入客户产品验证阶段。

随后，在今年9月下旬，中芯国际再度对外回应称，第二代FinFET“N＋1”工艺已经进入客户导入阶段，有望于2020年底小批量试产。

而芯动科技则是从2019年始，在中芯“N+1”工艺尚待成熟的情况下，团队就全程攻坚克难，投入数千万元设计优化，其基于中芯国际“N＋1”制程的首款芯片经过持续数月、连续多轮的测试迭代，成功助力中芯国际突破“N＋1”工艺良率瓶颈。如今，芯动科技基于国产“N+1”新工艺的里程碑NTO流片验证成功，为国产半导体生态链再立新功。